000 | 03650cam a2200745 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 338834362 | ||
003 | DE-627 | ||
005 | 20250624174241.0 | ||
007 | tu | ||
008 | 020103s2002 xxk||||| 00| ||eng c | ||
016 | 7 |
_a0415272262 _2UK |
|
020 |
_a9780415272261 _c : GBP 120.00 _9978-0-415-27226-1 |
||
020 |
_a0415272262 _c : GBP 120.00 _90-415-27226-2 |
||
024 | 3 | _a9780415272261 | |
028 | 5 | 2 | _aTF1381 |
035 | _a(DE-D210)CP000003512 | ||
035 | _a(DE-576)100712207 | ||
035 | _a(DE-627)338834362 | ||
035 | _a(DE-599)GBV338834362 | ||
035 | _a(OCoLC)248842450 | ||
040 |
_aDE-627 _bger _cDE-627 _erakwb |
||
041 | _aeng | ||
044 |
_cXA-GB _cXD-US |
||
050 | 0 | _aQC176.8.N35 | |
082 | 0 | _a620.5 | |
084 |
_aUP 6800 _qOBV _2rvk _0(DE-625)rvk/146430: |
||
084 |
_aUP 3200 _2rvk _0(DE-625)rvk/146379: |
||
084 |
_a33.75 _2bkl |
||
084 |
_a50.94 _2bkl |
||
084 |
_a33.61 _2bkl |
||
245 | 0 | 0 |
_aSpin dependent transport in magnetic nanostructures _ced. by Sadamichi Maekawa and Teruja Shinjo |
264 | 1 |
_aLondon _aNew York [u.a.] _bTaylor & Francis _c2002 |
|
300 |
_aX, 282 S. _bIll., graph. Darst. |
||
336 |
_aText _btxt _2rdacontent |
||
337 |
_aohne Hilfsmittel zu benutzen _bn _2rdamedia |
||
338 |
_aBand _bnc _2rdacarrier |
||
490 | 1 |
_aAdvances in condensed matter science _v3 |
|
583 | 1 |
_aArchivierung prüfen _c20240324 _fDE-4165 _z1 _2pdager |
|
583 | 1 |
_aArchivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet _c20240722 _fNI-LastCopies _zPotenzieller Alleinbesitz Niedersachsen _2pdager _5DE-89 |
|
650 | 0 |
_aNanostructures _xMagnetic properties |
|
650 | 0 | _aSpintronics | |
650 | 0 | _aMagnetoresistance | |
650 | 0 |
_aThin films, Multilayered _xMagnetic properties |
|
650 | 0 | _aNanostructures | |
650 | 0 |
_aÉlectrons _xTransport |
|
650 | 0 | _aEffet tunnel | |
650 | 0 | _aMagnétorésistance | |
650 | 0 | _aÉlectronique de spin | |
689 | 0 | 0 |
_Ds _0(DE-588)4591272-5 _0(DE-627)325976708 _0(DE-576)214032000 _aRiesenmagnetowiderstand _2gnd |
689 | 0 | 1 |
_Ds _0(DE-588)4667475-5 _0(DE-627)34012430X _0(DE-576)214839931 _aTunnelmagnetowiderstand _2gnd |
689 | 0 | 2 |
_Ds _0(DE-588)4204530-7 _0(DE-627)105142662 _0(DE-576)210162775 _aNanostruktur _2gnd |
689 | 0 | 3 |
_Ds _0(DE-588)4532095-0 _0(DE-627)26537197X _0(DE-576)213416166 _aMagnetoelektronik _2gnd |
689 | 0 | _5(DE-627) | |
700 | 1 |
_aShinjō, Teruya _d1938- _0(DE-588)143034960 _0(DE-627)704370662 _0(DE-576)334698146 _4oth _96367 |
|
700 | 1 |
_aMaekawa, Sadamichi _d1946- _eHrsg. _0(DE-588)112490581 _0(DE-627)691150621 _0(DE-576)34131479X _4edt _95747 |
|
776 | 0 | 8 |
_iErscheint auch als _nOnline-Ausgabe _tSpin dependent transport in magnetic nanostructures _dLondon [u.a.] : Taylor & Francis, 2011 _hOnline-Ressource (282 p) _w(DE-627)839162286 _z9781420024579 |
830 | 0 |
_aAdvances in condensed matter science _v3 _93 _w(DE-627)320629139 _w(DE-576)086818171 _w(DE-600)2023707-8 _7am |
|
936 | r | v |
_aUP 6800 _bMagnetische Materialien und deren Technologie, Magnetische Blasen, Spingläser _kPhysik _kFestkörperphysik _kMagnetismus _kMagnetische Materialien und deren Technologie, Magnetische Blasen, Spingläser _0(DE-627)1271487187 _0(DE-625)rvk/146430: _0(DE-576)201487187 |
936 | r | v |
_aUP 3200 _bTransportprozesse in Halbleitern, Gunn-Element, Gunn-Effekt _kPhysik _kFestkörperphysik _kHalbleiterphysik, Halbleitertheorie _kTransportprozesse in Halbleitern, Gunn-Element, Gunn-Effekt _0(DE-627)1271501872 _0(DE-625)rvk/146379: _0(DE-576)201501872 |
936 | b | k |
_a33.75 _jMagnetische Materialien _xPhysik _0(DE-627)10640802X |
936 | b | k |
_a50.94 _jMikrosystemtechnik _jNanotechnologie _0(DE-627)181570645 |
936 | b | k |
_a33.61 _jFestkörperphysik _0(DE-627)106419145 |
942 | _cBK | ||
951 | _aBO | ||
999 |
_c3372 _d3372 |